倾佳电子代理的基本半导体SiC模块等碳化硅功率器件全线产品概述
倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半导体器件以及新能源汽车连接器。
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块，助力电力电子行业自主可控和产业升级！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管和大于650V的高压硅MOSFET的必然趋势！
倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！
引言：第三代半导体浪潮下的新机遇
当前，全球能源结构加速向清洁化、电动化与智能化升级，功率半导体器件成为能源变革与电力电子创新的核心基石。以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，凭借其宽禁带、高击穿场强、高热导率、高频低损耗等特性，正在新能源汽车、高端工业装备、光伏储能、智能电网及快速充电领域加速替代传统硅基器件。碳化硅功率器件的高效率、高可靠性和系统级成本优化能力，不仅推动了新能源与数字化产业的变革，也赋予代理商与产业链参与者巨大的市场机遇2。
作为碳化硅功率器件产业链中的领军企业，基本半导体（BASiC™，以下简称“基本半导体”）以全栈自研的材料工艺、先进芯片设计和模块封装为依托，形成了全场景SiC功率半导体产品组合。在此过程中，倾佳电子作为其官方授权一级代理商，深度参与SiC功率器件国产化进程与终端市场拓展，致力于打造“器件+方案+交付”一体化分销服务能力。倾佳将以基本半导体SiC全系功率器件产品为核心，细致梳理各产品类别、代表型号及关键参数，突出其技术优势与典型应用。
一、公司背景与行业领导地位
1.1 基本半导体企业实力
基本半导体成立于2016年，总部位于深圳，并在北京、上海、无锡、香港及日本名古屋设有研发及产业化基地。公司拥有一支国际化研发团队，核心成员来自剑桥大学、清华大学、中国科学院等顶尖学研机构，累计授权专利200余项。公司坚持IDM（设计-制造-封测一体化）模式，实现了碳化硅功率器件自材料制备、芯片设计、制造、封装到系统级应用的全流程自主可控6。
其主要产品线涵盖：碳化硅肖特基二极管、MOSFET、混合分立器件、工业级/汽车级全碳化硅模块、门极驱动芯片、电源管理芯片及裸片晶圆服务，服务对象覆盖全球数百家汽车、储能、工业、新能源等行业客户。2025年，基本半导体已向港交所递交上市申请，彰显其在国产SiC器件领域的行业地位与资本认可。
1.2 倾佳电子市场与服务优势
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳，是国产宽禁带半导体功率器件和新能源汽车连接器领域的专业分销商。倾佳电子深耕新能源（光伏、储能）、汽车电动化（主驱、OBC、DCDC）、数字化电力（AI服务器电源等）三大方向，结合产品分销与系统解决方案，成为基本半导体SiC功率器件官方授权一级代理商。
倾佳电子不仅具备扎实的行业资源与技术团队，还依托全国多地布局的服务与仓储网络，形成了高效的交付、技术支持、本地化协作能力，成为众多终端企业绿色数字化转型、产品升级与国产器件导入的首选合作伙伴。
二、产品全谱系梳理与技术亮点
2.1 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）
产品系列与主要型号
电压范围：650V / 1200V / 2000V （部分型号开发中）
主流封装：TO-220-2、TO-220F-2、TO-220-isolated、TO-247-2、TO-247-3、TO-263、SOT-227等
标准型号举例（以650V/1200V为例）：
| 型号 | 电压（V） | 电流（A） | 峰值浪涌电流（A） | VF(V) | 封装 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| B3D04065KS | 650 | 4 | 36 | 1.37 | TO-220-isolated | 快充/小电流电源 |
| B3D10065KS | 650 | 10 | 80 | 1.36 | TO-220-isolated | PFC/逆变/储能 |
| B3D20065HC | 650 | 20 | 90 | 1.36 | TO-247-3 | 工业级电源 |
| B3D40065HC | 650 | 40 | 150 | 1.40 | TO-247-3 | OBC/充电桩 |
| B3D10120E | 1200 | 10 | 90 | 1.40 | TO-252-2 | 工业电源 |
| B3D40120HC | 1200 | 40 | 180 | 1.41 | TO-247-3 | 高压储能/PCS |
| B3D40200H | 2000 | 40 | - | - | TO-247-2 | 超高压储能/铁路 |
技术优势与应用
零反向恢复时间、极低开关损耗：采用肖特基势垒结构，反向恢复电荷接近于零，适合高频整流、PFC、LLC、逆变等电源应用。
高温低漏电、耐高压、抗浪涌性卓越：硅基二极管易受高温影响发生漏电和反向损坏，SiC材料可在175℃以上高温稳定工作，耐压能力远超Si器件。
优秀的雪崩能力及EMI改善：更利于提升系统稳定性，适应轨道交通、电机驱动、高可靠性医疗/工控场景。
高功率密度系统首选：在高频、高压应用（如光伏逆变器、储能变流器、新能源汽车OBC、通信电源、服务器快充等）明显降低整机损耗，提高效率。
2.2 碳化硅MOSFET分立器件
主力型号与关键参数
| 型号 | 电压（V） | 典型RDS(on)（mΩ） | 电流（A） | 封装类型 | 认证 | 应用方向 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| B3M040065H | 650 | 40 | 45 | TO-247-3 | 工业级认证 | 通讯/AI/微逆变 |
| B2M160120H | 1200 | 160 | 25 | TO-247-3 | 工业级认证 | 光伏/储能 |
| B2M080120H | 1200 | 80 | 40 | TO-247-3 | 工业/车规 | 光伏/OBC/快充 |
| B2M040120H | 1200 | 40 | 75 | TO-247-3 | 工业/车规 | 工业驱动/高压变流 |
| B3M040120Z | 1200 | 40 | 45 | TO-247-4 | 工业/车规 | 主驱逆变器 |
| AB2M080120H | 1200 | 80 | 30 | TO-263-7 | AEC-Q101 | 汽车OBC/DCDC |
| TOLL/TOLT系列 | 650/1200 | 40/80 | 20-40 | TOLL/TOLT | 工业/车规 | 高密度贴片 |
注：多系列支持AEC-Q101车规级、工业级全温区高可靠性测试。
技术突破与核心亮点
低导通电阻、器件体积小：最新一代产品通过元胞微缩技术/沟槽栅结构，单位面积RDS(on)降低40%以上，芯片面积缩小30%，比肩国际一线大厂。
优异的高温性能与开关速度：绝缘栅结构加TDDB工艺改进，可靠性寿命超万小时；典型高温结温可到175℃甚至更高，开关损耗远优于传统IGBT。
多种封装形式灵活适配：TO-263-7、TOLL、TOLT等贴片/顶部散热封装，便于高密度电源布局和逆变系统集成。
车规级、工业级双认证：支持PPAP流下，AEC-Q101/BIS/MIL-STD全项寿命测试，满足汽车动力、辅助、电驱注重高安全与寿命的需求。
支持裸片/晶圆供货：适用于高端自定义模组、系统集成需求，支撑大客户集采或二次封装。
典型应用
新能源汽车三电系统：主驱逆变器、OBC、DCDC、热泵空调电机
光伏/储能/快充：高效率大功率逆变器、储能PCS、通信与数据中心电源
工业自动化/伺服：高频伺服控制器、激光电源
微逆变器：接入分布式新能源、边缘储能系统
2.3 混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete）
代表型号与参数
| 型号 | 电压（V） | 电流（A） | VCE(sat)(V) | VF(V) | 封装 | 应用场景 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BGH75N65HS1 | 650 | 75 | 1.64 | 1.40 | TO-247-3 | 储能PCS、OBC |
| BGH50N65HF1 | 650 | 50 | 1.55 | 1.39 | TO-247-3 | UPS/逆变器 |
| BGH75N120HF1 | 1200 | 75 | 2.2 | 1.30 | TO-247-3 | 工业/光伏大功率 |
技术原理与优势
混合分立器件采用硅基IGBT并联SiC肖特基二极管的共封装结构，借助场截止IGBT技术与SiC SBD的优点于一体。其主要优势包括：
兼顾成本和动态性能：开通损耗、关断损耗大幅下降，避免硅快恢复二极管的高反向恢复损耗。
易于替换传统IGBT模块：可直接在存量市场或二次改造项目中提升效率，降本逐步替换进口IGBT。
适合高频Hard-Switch应用：如储能逆变、UPS、光伏组串式逆变器、车载OBC，兼具高可靠性和经济性。
2.4 全碳化硅功率模块
a) 工业级Pcore™系列（E1B/E2B/34mm/EP2等）
| 产品系列 | 封装类型 | 电压（V） | 导通电阻 RDS(on) (mΩ) | 电流 (A) | 典型应用 | |-----------------|-----------|-----------------------------|-----------|------------------| | Pcore™2 E2B | 半桥 | 1200 | 5.5 | 240 | 125kW储能PCS、APF | | Pcore™2 34mm | 半桥 | 1200 | 15 | 80 | 工业焊机 | | Pcore™4 E1B | H桥 | 650 | 27 | 40 | 逆变器/高频DCDC | | Pcore™12 EP2 | 三相全桥 | 1200 | 65 | 25 | 商用HVAC空调 | | 62mm（开发中） | 半桥 | 1200 | 2.3 | 540 | 储能/光伏大电流 | | ED3（开发中） | 半桥 | 1200 | 1.8 | 720 | 高功率储能/UPS |
技术亮点
高性能设计，内置SiC SBD，消除IGBT/PN二极管“尾电流”、提高互补功率密度
采用高可靠性Si₃N₄ AMB陶瓷基板，导热性能优于Al₂O₃或传统铝基
实时NTC温度传感器集成，支持安全监控
支持Press-Fit、焊接两种工艺，模组配套灵活
极低杂散电感，部分型号低至14nH，可优化高频开关和系统EMI
应用系统仿真与驱动器参考设计服务完善，可一站式适配
应用场景
储能PCS（功率变流器）、光伏逆变器、大功率充电桩、有源滤波器APF、工业高频焊机、伺服驱动等
b) 汽车级全碳化硅模块（Pcore™6/2/1/12）
| 产品系列 | 电压（V） | 电流（A） | 典型封装 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| Pcore™6 HPD | 1200 | 600-800 | 特殊HPD | 新能源主驱，商用车 |
| Pcore™2 DCM | 1200 | 600-950 | ED3 | 乘用/商用主驱逆变 |
| Pcore™1 TPAK | 750/1200 | 200-250 | TPAK | 空调/辅助电驱 |
| Pcore™12 EP2 | 1200 | 65 | EP2 | 空调热泵等三相子系统 |
技术亮点
AQG-324车规级别，通过PPAP、BIS、EVT、DVT全项测试
结温支持可达175℃，高可靠超严苛工况稳定
高频率能力与低RDS(on)，适合800V快充平台和高端车型
多芯片并联，覆盖大电流与高压主驱系统
支持全银烧结或先进AMB基板，封装国际一线水准
快速替代传统Si-IGBT模块，系统效率提升5-10%
应用场景
新能源汽车主驱、OBC、DCDC、商用车动力系统
高端电动大巴、工程机械、新型高速火车/轨道牵引
2.5 门极驱动芯片
代表型号与参数
| 型号 | 绝缘耐压(Vrms) | 峰值输出电流(A) | 工作温度(℃) | 特点/功能 | 适用封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| BTD25350MM/C/W | 5000 | ±10 | -40~125 | 双通道、米勒钳位、死区 | SOW-18 |
| BTD21520xx | 3750 | ±6 | -40~125 | 差分输入、高速 | SOW-16 |
| BTD5350xx | 5000 | ±15 | -40~125 | 智能保护 | SOW-18 |
| BTL27524x | 3750 | ±3 | -40~125 | 低边驱动 | MSOP-10 |
| BTD3011R | 5000 | ±4 | -40~125 | 智能短路保护 | SOW-8 |
技术亮点
大电流输出，高绝缘耐压：适用于驱动1200V、1700V MOSFET/IGBT/SiC器件
集成米勒钳位、防误开通：优化器件高速开关场合下的可靠与EMI抑制
内置欠压保护、死区可调：增强系统安全
多种脚位配置适配不同拓扑：副边独立开关、米勒钳位、欠压保护可选
宽温域与高共模抗扰度：适应严苛环境与大功率场合
应用领域
组串式光伏逆变器、储能PCS、新能源汽车主驱/辅助逆变、工业UPS、电机驱动、快充、服务器电源等
2.6 驱动电源芯片与隔离电源方案
代表型号与参数
| 型号 | 输出功率（W） | 工作频率（MHz） | 保护功能 | 封装 | 配套推荐 |
|---|---|---|---|---|---|
| BTP1521P | 6 | 0.1~1.3 | 欠压、过温 | SOP-8 | TR-P15DS23-EE13隔离变压器 |
| BTP1521F | 6 | 0.1~1.3 | 欠压、过温 | DFN3x3-8 | - |
技术亮点
专为高压SiC驱动隔离电源设计，+18V/-4V双通道输出，保障MOSFET完美开关
最高支持1.3MHz开关频率，宽压输入，提升能效和体积密度
软启动/过温/欠压全方位保护，开放推荐电路，便于参考集成
配套驱动变压器方案，系统开发更便捷
典型应用
SiC MOSFET隔离门极驱动电源、充电桩模块、工业焊机电源、伺服电机驱动、光伏/储能PCS等
三、各产品线适用场景与解决方案优势
3.1 新能源汽车领域
碳化硅MOSFET和功率模块已成为主驱逆变器、OBC、DCDC、电机控制器和热泵空调电源的首选。通过极低的损耗和高温稳定性，帮助主机厂提升整车效率、延长续航、支持800V超快充等新一代平台。主机厂均已大规模导入。在辅助电驱（空调压缩机、PFC）等工况下，SiC单管比传统IGBT单管效率提升高达30%~50%。
3.2 光伏与储能
Pcore™系列SiC模块广泛用于组串式逆变器和工商业储能PCS。其高频低损耗特性与EMI默契配合，让系统效率突破99%，大幅降低电感/滤波元件体积、整机体积降温降本。PCS新型三电平拓扑与模块化结构灵活配置，有助于虚拟电厂、分布式储能等新场景落地13。
3.3 数据中心与AI服务器
分立SiC MOSFET及配套驱动IC/隔离电源，为高密度AI服务器、通信电源从传统12V向48V/400V平台升级提供支撑，支持高频高效LLC、PFC、同步整流等拓扑。有效提升电源转换效率，满足电源下沉和高可靠性的应用趋势，成为绿色算力基础设施“底座”器件。
3.4 工业自动化/高端制造
SiC功率器件的高频特性，令伺服系统、电焊机、工业级变频器高效可靠，在IGBT频率极限下大幅提升开关频率，降低磁性材料和散热结构体积，实现“高频、小型化、节能化”目标，尤其适用高端制造业升级与智能工厂建设13。
四、倾佳电子代理服务核心竞争力
4.1 原厂深度赋能+专业技术支持
倾佳电子以一级代理身份，获得基本半导体完整全线SiC产品分销及技术资料支持，并与原厂共建系统级实验室，可为客户提供选型、样品、参考板、设计咨询、热管理与EMI调试、仿真等全流程服务。专业FAE团队保障快速响应终端客户技术难题。
4.2 快速交付与本地化服务网络
依托深圳总部，联动全国多地仓储与物流调配，现货可发，交期响应快，支持工厂PPAP流程审核和突发需求弹性备货。极大缩短项目端导入周期，满足如储能/汽车头部客户量产交付要求，提升供应链强韧性。
4.3 正品保障与可追溯性
与原厂直签正规代理协议，所有产品可溯源至原厂产线，防范市场假冒/水货风险，从渠道源头保证交付品质，为OEM厂商、系统集成终端提供信心。
4.4 生态合作与国产替代方案整合
不仅单独销售器件，还可协同原厂及第三方供应商，组合SiC模块+驱动+连接器等一体化子系统方案，适配特定行业应用（如光伏储能、智能电网、汽车800V平台），为系统级国产化升级提供闭环支持。
4.5 行业战略协同与全链路保障
积极推动国产SiC产品认证和供应链协作，参与行业标准制定及产业联盟，联合终端客户推动项目国产化替代，产业协同赋能客户实现降本增效、绿色可持续转型。
五、行业格局与对手比较分析
5.1 全球/国内主要竞争对手
当前全球SiC功率器件市场以Wolfspeed（Cree）、罗姆、意法半导体（ST）、英飞凌、三菱等为首。国内则以三安光电、比亚迪半导体、华润微等为有力竞争者。基本半导体以完善产设IDM模式、产品全链路、自主技术栈，已形成与国际一线品牌技术和应用深入对标的能力。
| 厂商 | 封装工艺 | 认证体系 | 产品覆盖深度 | 国内化率 | 模块/系统定制能力 | 技术突破 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 基本半导体 | 6英寸/8英寸/叠层 | IATF16949 | 二极管/MOSFET/模块/混合/驱动/裸片 | 90%+ | 强 | 低RDSon/模块可定制 |
| ON | 国际 | IATF16949 | 分立/模块/驱动IC | 低 | 中等 | 200mm量产 |
| 英飞凌 | 国际 | IATF16949 | 分立/模块/驱动IC | 无 | 较强 | CoolSiC技术 |
| 三安光电 | 国内 | - | 外延/二极管 | - | - | - |
| 比亚迪半导体 | 国内 | - | - | 强 | 产业链协同能力 | |
| 华润微 | 国内 | - | 外延/二极管/MOSFET | - | - | - |
基本半导体在高端产品一致性、全产业链自控、车规级认证深度等方面全方位领先国产竞争对手，与国际品牌形成差异化性价比优势，适合主流项目的“国产替代+定制需求”导入。
5.2 价格与生命周期对比
随着SiC产业链规模化，国产产品（尤其基本半导体）已在大批量模块价格上低于国际大厂，比进口IGBT模块方案整体系统成本低20-30%，加之寿命与可靠性优势，生命周期总拥有成本（TCO）更低，成为工商业用户降本增效的必然选择。
六、市场趋势与发展前景
6.1 市场规模与增长速率
据Mordor Intelligence等权威机构数据，2024年全球SiC功率半导体市场规模已超21.8亿美元，预计2029年突破67.3亿美元，年复合增长率25.24%。其中，亚太（尤其中国）是增长最快、市场份额最大区域。下游光伏、储能和新能源汽车拉动最为明显，未来5年国内市场产能与产业链配套将进入井喷期19。
6.2 技术与产业政策驱动
宽禁带材料+封装技术优化：第四代MOSFET、沟槽栅、三电平拓扑、AMB陶瓷基板、银烧结等不断迭代，提高器件性能、可靠性和系统兼容性。
国产替代与强链政策持续加码：国家工信部、科技部等加快推动第三代半导体材料与SiC功率器件自主可控，地方政府配套加速政策（如储能补贴、技术升级）加持，行业加速国产化进程。
新型应用场景不断拓展：如虚拟电厂（VPP）、工商业/户用储能、800V超快充、氢燃料压缩机驱动、分布式能源融合等，持续拓宽市场容量。
6.3 持续创新与合作生态
国产厂商间协同：倾佳电子建立分销与集成服务生态，打破进口技术垄断。
国际合作与最新技术引进：与如东芝等国际玩家合作布局模块封装和生态协同，实现国产与国际技术资源互补，持续推动技术升级。
七、结语与合作展望
随着碳化硅功率半导体产业步入黄金成长周期，系统级能效与安全、短交期与正品保障、全流程技术支持将成为终端客户决策的三大关键。基本半导体依托深厚的技术积累与IDM能力、完善的产品谱系和高可靠性保障，已成为国产替代与行业升级的技术标杆。而倾佳电子凭借专业、快速、本地化的服务网络和器件+系统集成能力，已成为联通原厂与终端、持续推动SiC国产化变革的关键桥梁。
深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者：
倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能源汽车连接器的专业分销商，业务聚焦三大方向：
新能源：覆盖光伏、储能、充电基础设施；
交通电动化：服务新能源汽车三电系统（电控、电池、电机）及高压平台升级；
数字化转型：支持AI算力电源、数据中心等新型电力电子应用。
公司以“推动国产SiC替代进口、加速能源低碳转型”为使命，响应国家“双碳”政策（碳达峰、碳中和），致力于降低电力电子系统能耗。
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未来，倾佳电子将持续携手基本半导体和业界生态合作伙伴，不断深耕新能源、交通电动化与数字化电力等战略场景，推动第三代半导体技术全面赋能于新能源与智慧社会建设，助力客户实现高效、可持续、经济和安全的能源与电力电子新生态。
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